Las Vegas városában javában zajlik a CES expó, ahol a Qualcomm belejelentette a következő nagy dobását, a Snapdragon 835-öt. A cél a Snapdragon 820 méltó utódát prezentálni a világ számára, és végigfutva a specifikációkat, úgy tűnik ez most sikerült is a sárkányos gyártó számára.
A Qualcomm Snapdragon 835 az első olyan tömeggyártásban lévő lapkakészlet, ami a 10 nanométeres FinFET eljárás alapján készül. A chipsetet úgy alkották meg, hogy a lehető legjobban támogassa a VR rendszereket és a Windows 10-et.
Az új lapka Kryo CPU architektúrát használ, akárcsak a 820-as széria tagjai, ugyanakkor a Kryo 280 plusz négy magot tartalmaz, így összesen kapunk négy erősebb és négy energiatakarékosabb magot. Előbbiek órajele 2.45 GHz-re is felkúszhat, ehhez képest a gyengébb magok 1.9 GHz-en duruzsolnak. Összehasonlításként a Qualcomm Snapdragon 835 35 százalékkal kisebb és 25 százalékkal energiatakarékosabb az elődjénél, ami összességében jobb üzemidőt jelent, legalábbis elméletileg.
A grafikai oldalt illetően az Adreno 530-at az Adreno 540 váltja, ami támogatja az OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, a Vulkan API, illetve a DirectX 12 rendszereket. Mindez remek táptalajt biztosít a magas színvonalon zajló játékélménynek, legyen szó mobiljátékokról, vagy virtuális, illetve kiterjesztett valóságon alapuló applikációkról. A Snapdragon 835 25 százalékkal megnövelt grafikus teljesítményt képes felmutatni, és támogatja a mozgóképek 4K (UHD) felbontásban való rögzítését 30 fps-sel, valamint a 4K tartalmak lejátszását 60 fps-sel. A képfeldolgozás is sokat fejlődött, a SoC támogatja az akár 32 megapixeles kamerákat is, illetve a 16 megapixeles duál apparátusokat.
A biztonságot illetően is történtek előrelépések, az új fícsöröket együttesen “Qualcomm Haven Security Platform” névre keresztelte a gyártó. Lényegében a biometrikus azonosítás lett sokkal jobb, amit hardveres szempontból jobban megtámogat az új lapka. Ebben a chipsetben debütált az X16-os LTE modem is, ami támogatja a Cat.16 hálózatokat letöltés esetén 1 Gbps elméleti sebességet biztosítva, illetve feltöltés esetén a Cat.13-as szabványt, ami 150 Mbps-ot jelent, szintén elméleti síkon. A Qualcomm Snapdragon 835 az első olyan SoC, amelyben hivatalosan is ott a Bluetooth 5.0 technológia, ami akár 2 Mbps-ra is képes.
Megérkezett a Quick Charge 4.0 gyortöltési technológia is, ami 20 százalékkal gyorsabb töltési sebességet jelent, és 30 százalékkal megnövelt hatékonyságot a Quick Charge 3.0 lehetőségeihez képest. Emellett az újdonság támogatja az USB-C Power Delivery metódust.
A Qualcomm Snapdragon 835 jelenleg tömeggyártás alatt van, és várhatóan ezen év első felében fog felbukkanni a különféle eszközökben. Hála a rengeteg újításnak és a remek funkciónak biztosan számos manufaktúra igénybe veszi majd lehetőségeit.
