A Qualcomm hivatalosan is bejelentette a Snapdragon 835-öt, ami a gyártó 2017-es csúcshardvere lesz, és a Samsung segítségével készül majd.
Az új egység 10 nm-es FinFET eljárással készül, ami jobb teljesítményt, kisebb fogyasztást és olcsóbb előállítást eredményez, mint például a Snapdragon 820-nál használt 14 nm-es technológia. A Snapdragon 835 pontos specifikációit még nem fedte fel a Qualcomm, de azt elárulták, hogy 30%-kal kisebb, 27%-kal erősebb és 40%-kal energiatakarékosabb lesz, mint a Snapdragon 820.
Az is kiderült továbbá, hogy az új lapka már Quick Charge 4.0 gyorstöltéssel érkezik, ami állítólag 20%-kal lesz gyorsabb a 3.0-s verziónál. A jelenlegi csúcsmobilok többsége 80-100 perc alatt tölthető fel 0-ról 100%-ra, tehát durván 15-20 perces javulás várható.
Olyan csúcsmobilokba kerülhet jövőre a Snapdragon 835, mint a Samsung Galaxy S8 vagy az LG G6, de ezekről egy darabig még nem lesznek hivatalos információik.
Korábban egyébként Snapdragon 830 néven hallhattunk az új lapkáról, és nem kizárt, hogy lesz ilyen is, de most már biztos, hogy a 835 lesz az új 2017-es csúcsmodell, a 830 pedig talán egy kicsit gyengébb változat lesz.
forrás: Qualcomm
