Egyre többet hallani arról, hogy bizonyos friss csúcsmodellek a kelleténél jobban melegszenek komolyabb terhelés alatt, ezért a gyártók kénytelenek visszafogni a teljesítményt. A Samsungnak és a Xiaominak is volt ebből problémája, de vajon mi állhat a háttérben?
A probléma alapvetően a Snapdragon 8 Gen 1 és az Exynos 2200 lapkákkal van, ezek nagyon hasonló felépítéssel bírnak, és mindkettőt a Samsung gyártja friss, 4 nm-es technológiával. Korábban arra gyanakodtak a legtöbben, hogy itt lehet a gond, ugyanis a TSMC által gyártott, szintén 4 nm-es Apple és Dimensity 9000 chipsetek esetében nem hallani ilyesmiről (bár a MediaTek lapkája még elég friss, kevés róla a valódi tapasztalat).
Valószínűleg a gyártástechnológiának is van köze a hatékonysághoz, de egy friss dél-koreai jelentésben arról írnak, hogy maga az ARM architektúra sem tökéletes, ami alapján ezek a lapkák készülnek. A Snapdragon 8 Gen 1-ben és az Exynos 2200-ban is van egy fő mag, ami Cortex X2-es típusú, ezen kívül van bennük még három erős Cortex A710 mag, valamint négy takarékos Cortex A510 mag. Ezek mind az ARM fejlesztései, és sorrendben 16, 10, illetve 35 százalékos sebességnövekedést ígérnek az elődeikhez képes, ugyanakkor a nagyobb teljesítmény jelentős melegedéssel jár, amit orvosolni kell a mobilgyártóknak extra hűtéssel vagy szoftveres korlátozással, és jellemzően inkább az utóbbira kerül sor.
A Snapdragon 8 Gen 1-nek hamarosan érkezhet a frissített verziója, amit már a TSMC fog gyártani a Samsung helyett, ráadásul úgy nézni ki, hogy a Cortex X2-es mag órajelét lecsökkentik. Kíváncsian várjuk, hogy a 8 Gen 1+ mennyire javítja majd az előd problémáit, mert úgy nem sok értelme van a teljesítmény hajszolásának, ha közben melegedési gondokkal kell harcolni.
