Évekkel ezelőtt a Samsung bejelentette a 8,5 Gbps LPDDR5X RAM-ot, amely akkor a leggyorsabb volt a világon. Természetesen a technológiai fejlődés nem áll meg, és most a dél-koreai gyártó megemelte a tétet egy még sebesebb operatív memória modullal.
Az új modul sávszélessége 10,7 Gbps, vagyis meghaladja az SK Hynix által tavaly bemutatott 9,6 Gbps-os LPDDR5T sebességét is. A korábbi LPDDR5X variánsokhoz képest nagyjából 25%-os a teljesítménynövekedés, de nem csupán a sebesség tekintetében történt előrelépés.
A Samsung a chipeket 12 nanométeres gyártási eljárással készíti, ami azt jelenti, hogy az új modulok sokkal kisebbek. Ez lehetővé tette a gyártó számára, hogy 30%-kal növelje a kapacitást, és így akár 32 GB-os egységeket is készít belőlük.
Nyilván ezek az operatív memória modulok fel fognak bukkanni az okostelefonok belsejében, de elsősorban mesterséges intelligencia felhasználásra szánják őket. Aki képben van, az tudja, hogy a nagy modellek rengeteg memóriát igényelnek, és még az olyan csúcskategóriás grafikus vezérlők, mint az Nvidia RTX 4090 is csupán 24 GB virtuális RAM-ot tudnak felajánlani a célra. Persze az Nvidia kínál professzionális kártyákat sokkal több memóriával, de ezek már elképesztő összegekbe kerülnek.
Az új energiatakarékos technológiának köszönhetően a most leleplezett chipek 25%-kal kedvezőbb energiafelhasználást biztosítanak, és akár hosszabb időre is képesek alacsony fogyasztású üzemmódba lépni. Ez nagyon jól jön azoknak az eszközöknek, amelyek energiaellátását valamilyen akkumulátor biztosítja, de a szerverek esetében is hasznos, hiszen az üzemeltetési költség legnagyobb részét a villanyszámla teszi ki.
A Samsung az év második felében kezdi meg a 10,7 Gbps sávszélességű LPDDR5X RAM modulok tömeggyártását, a mobil lapkakészletekkel történő tesztelés jelenleg is zajlik. A vállalat egyébként a színfalak mögött a következő generációs LPDDR6 RAM technológián is dolgozik, de hogy annak mikor érkeznek meg az első változatai, egyelőre nem tudni.
Forrás: Samsung
