Mostanában a Samsung Galaxy S26 Edge-dzsel kapcsolatos szóbeszédek leginkább az akkumulátor kapacitásával foglalkoztak, de most érkezett egy friss Geekbench teszteredmény, amely leleplezi a vékony kialakítású csúcsmobil belsejében dolgozó hardvert. A teszteredmények alapján a Qualcomm soron következő csúcskategóriás mobil-lapkája, a Snapdragon 8 Elite 2 kerül majd a mobilba.
A Geekbench adatbázisában az SM-S947U modellszámmal bukkant fel az okostelefon, ez alapján valószínűleg az amerikai piacra szánt változatot láthatjuk. Mielőtt bárki bármilyen elhamarkodott következtetést levonna, egy gyártás előtti, tesztelésre szánt modellen futtatták a benchmark applikációt, vagyis az eredmények később ennél csak jobbak lehetnek.
A Geekbench egyértelműen megerősíti, hogy az okostelefon meghajtásáról a Snapdragon 8 Elite 2 lapkakészlet gondoskodik. A Snapdragon 8 Elite 2 nyolcmagos CPU-val bír, amelyben két, rendkívül magas, 4,74 GHz-en pörgő elsődleges számítóegység, valamint hat, 3,63 GHz-es teljesítménymag dolgozik. Így van, ezek az órajelek magasabbak, mint a Snapdragon 8 Elite esetében, és nagyon úgy néz ki, hogy a Qualcomm ezúttal is készít egy speciális, emelt órajelű „For Galaxy” verziót a Samsung számára.
A benchmark teszten a Samsung Galaxy S26 Edge 3393 pontot szerzett az egymagos és 11 515 pontot a többmagos mérések során. Annak ellenére, hogy ez egy prototípus, jelentős előrelépés látható a Galaxy S25 Edge eredményeihez képest, amely 3131 és 9391 ponttal zárta a teszteket. Számszerűsítve 8%-os a javulás az egymagos és 22%-os a növekedés a többmagos teljesítményben.
Egyébként az itt láthatók az első konkrét adatok a Qualcomm következő generációs csúcslapkájáról, amely a tervek szerint a jövő hónapban, szeptemberben mutatkozik be hivatalosan.
Forrás: GSMArena
