A Samsung Foundry bejelentette, hogy megkezdte a 3 nanométeres chipek első generációjának tömeggyártását. A telefonokba szánt lapkák előállítása az úgynevezett Gate-All-Around architektúrának megfelelően zajlik, amely a korábbi FinFET eljárást váltja.
A most alkalmazásra kerülő Gate-All Around architektúra egyebek mellett lehetővé teszi a chipgyártók számára, hogy anélkül csökkentsék a tranzisztorok méretét, hogy azoknak sérülne az áramtovábbító képessége.
Természetesen nem kívánjuk senkitől, hogy részletekbe menően megértse, miben különbözik a GAA és a FinFET gyártási eljárás, számunkra, hétköznapi felhasználók számára csupán az a lényeg, hogy ezek az új 3 nanométeres chipek képesek akár 23 százalékkal nagyobb teljesítményt biztosítani, úgy, hogy akár 45 százalékkal kisebb a fogyasztásuk, miközben a lapon lévő tranzisztorok 16 százalékkal kevesebb helyet foglalnak el – mindezt a korábbi 5 nanométeres csíkszélességű megoldásokhoz képest.
Ha hihetünk a Samsung jóslatainak, akkor a 3 nanométeres chipek második generációja még ennél is meggyőzőbb lesz – szintén az 5 nanométeres chipekhez viszonyítva -, számítani lehet 50 százalékkal alacsonyabb energiafogyasztásra, 30 százalékkal nagyobb teljesítményre, ráadásul a konstrukció 35 százalékkal kisebb helyen is el fog férni. A Samsung tehát megelőzte a legnagyobb riválisának számító TSMC-t, amely várhatóan csak kicsit később, valamikor az idei év második felében kezdi meg a 3 nanométeres chipek gyártását.
Forrás: GSMArena
